SK hynix & ASML ra mắt EUV High-NA đầu tiên tại Hàn Quốc
SK hynix cùng ASML lắp đặt công cụ EUV High-NA đầu tiên cho sản xuất đại trà
SK hynix vừa hoàn tất việc lắp đặt hệ thống khắc quang cao tần High-NA EUV (Extreme Ultraviolet Lithography) – mẫu Twinscan EXE:5200B – tại nhà máy M16 ở Icheon, Hàn Quốc. Đây là hệ thống đầu tiên thuộc loại High-NA EUV được lắp ráp tại một nhà máy sản xuất số lượng lớn.
Thông số kỹ thuật nổi bật
Numerical Aperture (NA) của máy đạt 0.55, tăng khoảng 40% so với các hệ thống Low-NA EUV hiện có (NA = 0.33).
Nhờ NA cao hơn, máy có thể khắc transistor nhỏ hơn khoảng 1,7 lần và đạt mật độ transistor cao hơn khoảng 2,9 lần trên mỗi lần phơi sáng đơn lẻ so với hệ Low-NA.
Độ phân giải khoảng 8 nm, giúp đơn giản hóa quy trình đa mẫu (multi-patterning), từ đó giảm chi phí và tăng hiệu suất trong thiết kế DRAM.
Ý nghĩa & ứng dụng
Ban đầu, máy sẽ được sử dụng để prototype nhanh các cấu trúc DRAM mới (ví dụ các đường dẫn bitline, wordline, trench điện dung) nhằm thử nghiệm layout và vật liệu mới sớm hơn.
Về lâu dài, dự kiến nó sẽ hỗ trợ sản xuất DRAM quy mô lớn với các node công nghệ cao hơn trong những năm tới.
Việc này giúp SK hynix vượt lên phía trước các đối thủ như Samsung và Micron trong lĩnh vực chip bộ nhớ tiên tiến.
Tác động chiến lược
Việc lắp đặt High-NA EUV là bước tiến quan trọng trong việc giảm sự phụ thuộc vào các công cụ Low-NA EUV và các bước sản xuất phức tạp.
Hệ thống mới giúp SK hynix cải thiện năng suất, tối ưu chi phí sản xuất và nâng cao khả năng cạnh tranh, đặc biệt trong thị trường bộ nhớ AI và các ứng dụng tính toán thế hệ mới.
Thách thức & triển vọng
Mặc dù tính năng vượt trội, việc vận hành High-NA EUV đặt ra thách thức về bước sóng, sai số ánh sáng, quản lý nhiệt và vật liệu — cần R&D tiếp tục để đảm bảo độ ổn định và hiệu suất sản xuất thực tế.
Dự kiến trong thập niên tới (khoảng thập niên 2030), nhóm công nghệ sản xuất DRAM sẽ chuyển mạnh sang sử dụng High-NA EUV khi quy mô sản xuất, hiệu suất và lợi ích kinh tế trở nên rõ ràng hơn.