Intel trở lại với dự án DRAM mới hướng tới AI

Intel đang tái gia nhập lĩnh vực bộ nhớ DRAM — mảng từng là cốt lõi khi hãng mới thành lập — bằng cách hợp tác với startup Saimemory để phát triển loại bộ nhớ DRAM mới có tên Z-Angle Memory (ZAM), được thiết kế đáp ứng nhu cầu cao của các hệ thống xử lý AI hiện đại. 

Mục tiêu và công nghệ chính 

Z-Angle Memory không phải một loại bộ nhớ hoàn toàn mới, mà là cách xây dựng DRAM theo kiểu xếp chồng dọc (stacked) nhằm tăng mật độ lưu trữ trong cùng một thể tích, từ đó: 

• Tăng dung lượng bộ nhớ mà không tăng diện tích chip, 
• Giảm tiêu thụ điện năng, 
• Tạo ra bộ nhớ băng thông cao phục vụ cho các máy chủ AI và hệ thống xử lý dữ liệu lớn.  

Intel gọi công nghệ này là Next-Generation DRAM Bonding (NGDB) — một phương pháp “gắn nhớ lên nhớ” (memory over memory). Điều này mở ra khả năng tạo ra DRAM có hiệu suất và băng thông cạnh tranh với HBM (High-Bandwidth Memory) vốn được dùng rộng rãi trong các GPU và hệ thống chuyên xử lý AI.  

Quá khứ và ý nghĩa chiến lược 

Intel từng là nhà sản xuất bộ nhớ SRAM và DRAM trong những thập niên đầu hoạt động trước khi chuyển trọng tâm sang microprocessor, nổi bật nhất là bộ vi xử lý 4004.  

Việc Intel quay lại với công nghệ bộ nhớ DRAM vào lúc ngành PC và AI đang đối mặt với tình trạng thiếu hụt bộ nhớ trầm trọng trong nhiều năm gần đây được đánh giá là một bước đi chiến lược lớn — khi các ứng dụng AI hiện đòi hỏi lượng bộ nhớ lớn hơn, băng thông cao hơn và tiêu thụ điện năng thấp hơn.  

Lộ trình phát triển 

Theo kế hoạch: 

• Prototypes (nguyên mẫu) của Z-Angle Memory dự kiến xuất hiện vào năm 2027, 
• Và sản phẩm thương mại có thể bắt đầu bán ra khoảng năm 2030.  

Trong mô hình hợp tác này, Saimemory sẽ chịu trách nhiệm thương mại hóa và sản xuất, còn Intel cung cấp công nghệ và hỗ trợ kỹ thuật cơ bản.